Neue Produkte vom 11/13/2012

Cree

Neue Generation der 50-V-GaN-HEMTs vorgestellt

Die 50-Volt-GaN-HEMTs helfen dabei, den weltweiten Stromverbrauch zu reduzieren (Bild: Cree)

Cree stellt eine Palette neuer (HEMT (high electron mobility transistoren) auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Spannungsbereich bis 50 Volt vor. Die Technologie ermöglicht eine deutliche Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen. Weltweit fließen etwa 100 Terawattstunden (TWh) Strom in den Betrieb der Mobilfunknetze. Das entspricht Betriebskosten von rund 9,37 Mrd. Euro. Davon entfallen 50 bis 80 Prozent auf den Strombedarf der Leistungsverstärker und die Feed-Infrastruktur der Mobilfunksysteme. Mit den 50-V-GaN-HEMT von Cree konnte bei Leistungsverstärkern in Mobilfunkbasisstationen bei 2,6 Gigahertz (GHz) mit den neuesten 4G-LTE-Signalen gegenüber herkömmlichen Technologien eine Leistungsverbesserung von mehr als 20 Prozent nachgewiesen werden.

Durch diese Effizienzsteigerung könnten pro Jahr geschätzte 10 TWh eingespart werden. Das entspricht der Leistung von zwei Kernkraftwerken. Mit der neuen 50-V-GaN-HEMT-Technologie von Cree können nicht nur die Betriebskosten, sondern auch die Systemanschaffungskosten signifikant gesenkt werden. So kann ein Leistungsverstärker mit höherer Effizienz durch die vereinfachte Kühlung die Systemkosten von Geräteherstellern (OEMs) weiter reduzieren. Zudem sind die GaN-Komponenten für höhere Spannungen geeignet, was die Kosten für AC/DC- und DC/DC-Wandler weiter senkt. Insgesamt sind bei den Materialkosten Einsparungen von bis zu 10 Prozent möglich, wodurch die Systemkosten deutlich fallen.

Die 50-V-GaN-HEMT-Transistoren können bei Ausgangsleistungen von 100 W bzw. 200 W betrieben werden. Das Unternehmen hat die Bauteile sowohl für das 1,8 - 2,2-GHz-Frequenzband als auch für das 2,5 - 2,7-GHz-Frequenzband auf den Markt gebracht. Die Komponenten sind auf optimale Leistung abgestimmt und ermöglichen große Bandbreiten, die sofort verfügbar sind. Die 50-V-GaN-HEMT-Transistoren eignen sich für den Einsatz in hocheffizienten Doherty-Leistungsverstärkern. Hier können Leistungsgewinne von mehr als 18 dB bei 2,14 GHz beziehungsweise 16 dB bei 2,6 GHz erzielt werden.

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